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深圳市驪微電子科技有限公司
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郵箱：dunianhua@leweitech.com
地址：深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)鶴洲恒豐工業(yè)城B11棟5樓東
PN8161概述：
PN8161 快充充電器芯片內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括輸出過壓保護(hù)、周期式過流保護(hù)、過載保護(hù)、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)。
PN8161產(chǎn)品特征：
■ 內(nèi)置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 準(zhǔn)諧振工作
■ 最高開關(guān)頻率125kHz
■ 外圍精簡，無需啟動電阻及CS檢測電阻
■ 高低壓腳位兩側(cè)排列提高安全性
■ 內(nèi)置高壓啟動，空載待機(jī)功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù)
■ 供電電壓8-40V，適合寬輸出電壓應(yīng)用
■ 優(yōu)異全面的保護(hù)功能
過溫保護(hù) (OTP)
輸出過壓保護(hù)
逐周期過流保護(hù) (OCP)
輸出開/短路保護(hù)
次級整流管短路保護(hù)
過負(fù)載保護(hù)（OLP）
PN8161封裝/ 訂購信息：
注：PN8161最大輸出功率是在環(huán)境溫度 40℃ 的密閉式應(yīng)用情形下測試。
PN8161典型應(yīng)用電路：
為了更好體現(xiàn) PN8161 的性能，請務(wù)必遵守以下規(guī)則：
1. VDD 電容 EC1 應(yīng)放置在距離 VDD 引腳和 GND 引腳最近的地方�！ �
2. PN8161 GND 引腳到輸入電解電容地的走線盡量短而粗。
PN8161 快充充電器芯片應(yīng)用領(lǐng)域：
PN8161 快充充電器芯片應(yīng)用領(lǐng)域：
■ 充電器
■ 適配器
■ 開放式開關(guān)電源
■ 適配器
■ 開放式開關(guān)電源
