PN8036M非隔離ac/dc電源芯片主要是用于外圍精簡(jiǎn)的開(kāi)關(guān)電源，其內(nèi)部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，內(nèi)置MOSFET具有650V高雪崩能力，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動(dòng)、超低待機(jī)功能，并具有過(guò)流、欠壓、過(guò)溫保護(hù)，PN8036M采用的降頻調(diào)制技術(shù)有效改善了EMI特性，下面跟隨驪微電子芯朋微代理詳細(xì)了解非隔離ac/dc電源芯片PN8036M。
 

　　
 

　　1. PN8036M高壓?jiǎn)��?dòng)：在啟動(dòng)階段，內(nèi)部高壓?jiǎn)��?dòng)管提供2mA電流對(duì)外部VDD電容進(jìn)行充電；當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDON，PN8036M芯片開(kāi)始工作，高壓?jiǎn)��?dòng)管停止對(duì)VDD電容充電。啟動(dòng)過(guò)程結(jié)束后，輸出通過(guò)隔離二極管對(duì)VDD電容提供能量，供芯片繼續(xù)工作。

　　

　　2. PN8036M恒壓工作模式：芯片通過(guò)VDD管腳對(duì)輸出進(jìn)行電壓采樣，VDD電壓經(jīng)過(guò)內(nèi)部分壓電阻分壓得到采樣電壓VRF。當(dāng)VRF低于內(nèi)部基準(zhǔn)電壓VREF，芯片開(kāi)啟集成的高壓功率管，對(duì)儲(chǔ)能電感充電，當(dāng)電感電流達(dá)到內(nèi)部基準(zhǔn)電流IPEAK，芯片關(guān)閉集成的高壓功率管，由系統(tǒng)二極管對(duì)儲(chǔ)能電感續(xù)流。圖2-1和圖2-2分別給出連續(xù)模式（CCM）和非連續(xù)模式（DCM）下系統(tǒng)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)工作波形。同時(shí)芯片集成負(fù)載補(bǔ)償功能，可以提高恒壓精度，實(shí)現(xiàn)較好的負(fù)載調(diào)整率�！�
 

　

　　實(shí)際應(yīng)用中VDD對(duì)輸出的電壓采樣還受到隔離二極管影響，因此芯片VDD-REF設(shè)置為12.3V(TYP)，以抵消隔離二極管上的壓降。

　　

　　3.PN8036PFM 調(diào)制：芯片工作在PFM模式，同時(shí)內(nèi)部設(shè)置IPEAK隨芯片工作頻率FSW降低而降低，芯片開(kāi)關(guān)周期每增大1us，Ipeak降低約10mA。由于芯片內(nèi)置采樣，最大Ipeak固定，當(dāng)輸出電壓和輸出電流固定時(shí)，電感感量是唯一調(diào)制工作頻率的參數(shù)。建議電感量為0.5mH (EE-13), 如果感量過(guò)小，系統(tǒng)帶載能力會(huì)偏小，如果感量過(guò)大，容易造成電感飽和，影響可靠性。

　　

　　4.PN8036M軟啟動(dòng)：為了避免非隔離系統(tǒng)啟動(dòng)階段因進(jìn)入深度CCM模式，帶來(lái)較大電流尖峰，PN8036設(shè)置軟啟動(dòng)功能，通過(guò)限制Toffmin降低啟動(dòng)階段的開(kāi)關(guān)頻率。同時(shí)芯片設(shè)計(jì)較小的LEB時(shí)間（300ns）,以降低LEB時(shí)間內(nèi)能量大小，避免系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)的高電流尖峰。

　　

　　5. PN8036M智能保護(hù)功能：　　

　　PN8036M非隔離ac/dc電源芯片集成全面的保護(hù)功能，包括：過(guò)溫保護(hù)、VDD欠壓保護(hù)功能，并且這些保護(hù)具有自恢復(fù)模式�！　�

　　過(guò)溫保護(hù)------當(dāng)芯片結(jié)溫超過(guò)150℃，芯片進(jìn)入過(guò)溫保護(hù)狀態(tài)，輸出關(guān)閉，當(dāng)芯片結(jié)溫低于120度，芯片重新啟動(dòng)。　　

　　VDD欠壓保護(hù)------當(dāng)芯片VDD電壓低于VDDoff，芯片重新啟動(dòng)。芯片異常自恢復(fù)的時(shí)間通過(guò)VDD電容調(diào)整，VDD電容越大，自恢復(fù)時(shí)間越長(zhǎng)。