隨著小型充電器向著更低的低待機功耗和更高的能量轉換效率發(fā)展，士蘭微電子推出SDH8594AS內(nèi)置高壓MOS管的原邊控制芯片，SDH8594AS原邊反饋電源芯片采用PFM調(diào)制技術，實現(xiàn)精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制，效率和待機功耗滿足DOE Level 6能效標準。
 

　　

　　SDH8594AS內(nèi)置了高壓MOS管，使用了自有的專利技術來實現(xiàn)高壓啟動功能，降低待機功耗以及提高轉換效率，具有外部可調(diào)的線損補償和內(nèi)置的峰值電流補償?shù)裙δ�，可以確保精準的恒壓/恒流（CV/CC）性能，在確保待機功耗滿足DOE Level 6能效標準的前提下，具有極佳的動態(tài)響應性能。

　　

　　此外，電路內(nèi)部集成了VCC欠壓/過壓保護、輸出短路保護、輸出過壓保護、過溫保護、外部元器件開/短路保護等多重保護功能，以保證電路在整機生產(chǎn)和應用時的安全性和可靠性，延長其使用壽命。

　　

　　SDH8594AS采用PSR反饋控制技術，無需外部光耦和431器件，并且環(huán)路補償電容內(nèi)置，極大的簡化了外圍，僅需極少的外圍元器件即可構成完整的電源系統(tǒng)，大幅節(jié)省了系統(tǒng)耗電并縮小了電路板體積，有利于用戶精簡設計布局，降低開發(fā)和制造成本。同時，電路采用SOP7貼片封裝形式，可以滿足最高5V/2.4A的輸出功率的小型化應用。
 

　　

　　驪微電子士蘭微一級代理商，產(chǎn)品覆蓋MOSFET、AC-DC、DC-DC等系列，SDH8594AS隔離反激PSR 10W 5V/2A 600V/2.8Ω 60mW SOP7是基于士蘭微電子自行研發(fā)的0.8微米BiCMOS工藝制程設計及制作，工作電壓規(guī)模寬，管腳ESD才能強，具有高靠得住性，廣泛適用于手機充電器、小功率適配器及其他便攜式設備充電器。