什么是MOS管的雪崩，雪崩耐量，是指施加電壓時(shí)的抗擊穿性，當(dāng)功率MOSFET在反向偏置時(shí)，受漏極電壓、電流等電氣量變化的影響，內(nèi)部的載流子會(huì)被引發(fā)雪崩式倍增，導(dǎo)致功率MOSFET雪崩擊穿，功率mosfet的雪崩耐量是芯片中功率器件的關(guān)鍵指標(biāo)，影響開關(guān)電源安規(guī)及可靠性，因此選擇雪崩耐量優(yōu)異的分立器件或開關(guān)電源芯片是與電源系統(tǒng)可靠性緊密相關(guān)的。

　　

　　功率MOSFET由若干元胞并聯(lián)組成，每一個(gè)元胞包含三極管N印i，二級管DP+ 和電容Cgs、Cgd及Cdb為VDMOS內(nèi)部寄生的器件，這些由功率MOSFET內(nèi)部PN結(jié)間形成的等效器件中的空穴及電子在高頻時(shí)會(huì)受不同因素影響作用于功率M0SFET。

　　

　　正向?qū)�通時(shí)， 電子由源極表面反轉(zhuǎn)層形成的溝道進(jìn)入漏極，在此過程中，僅寄生體二極管在飽和區(qū)產(chǎn)生一個(gè)小小的電流分量，而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)后，寄生二極管，三極管對功率MOSFET影響很小。

　　

　　當(dāng)功率 MOSFET器件反向關(guān)斷時(shí)，感性負(fù)載使漏端電壓高于功率MOSFET的規(guī)格電壓，這時(shí)會(huì)有兩種情況一是漏端能量作用于功率MOSFET寄生體二極管上，將其擊穿使功率MOSFET進(jìn)入雪崩擊穿，二是漏端電壓變化率過大，引起寄生三極管Pi的基極串入電流使基極電壓超過其開啟電壓從而激活三極管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)使功率MOSFET雪崩擊穿。

　　

　　功率器件并不是觸發(fā)雪崩就會(huì)損壞的，而是對雪崩能量有一定的承受能力，一般從以單脈沖雪崩耐量、重復(fù)雪崩耐量這兩個(gè)特性來考量某個(gè)功率器件承受的雪崩耐量的強(qiáng)弱，當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會(huì)損壞。

　　

　　單脈沖雪崩發(fā)生時(shí)，持續(xù)的時(shí)間一般在微秒量級，由于熱容的存在，瞬時(shí)熱量不足以傳遞到芯片引線框和封裝體，雪崩擊穿位置的溫度會(huì)急劇上升，當(dāng)超過PN結(jié)極限溫度時(shí)，芯片熱擊穿損壞，所以單脈沖雪崩的極限溫度限制是PN結(jié)的熱擊穿溫度，而非器件手冊標(biāo)稱的最高工作溫度Tjmax。

　　

　　重復(fù)雪崩主要有兩種，一種是重復(fù)雪崩過程中芯片結(jié)溫超過Tjmax，而帶來的器件損壞；另一種表現(xiàn)為重復(fù)雪崩老化過程中，由于熱載流子效應(yīng)而帶來的器件參數(shù)漂移，是一個(gè)緩慢退化的過程。

　　

　　無論是哪一種情況引發(fā)的雪崩擊穿都會(huì)使功率MOSFET內(nèi)的電荷激增，熱量無法及時(shí)釋放而導(dǎo)致功率MOSFET損壞，為更好配置功率MOSFET應(yīng)用電路及客觀評價(jià)功率MOSFET本身性能，對功率MOSFET的雪崩耐量進(jìn)行測試顯得尤為重要。

　　對于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應(yīng)用場合，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會(huì)降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時(shí)，初級中會(huì)產(chǎn)生較大的電流，加上初級電感，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生極高的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。