近年來，我國半導(dǎo)體在氮化鎵、氮化硅領(lǐng)域發(fā)展迅速，芯片缺貨問題，更是加快了國產(chǎn)GaN控制芯片發(fā)展的步伐，不少之前使用國外控制芯片方案商和終端廠商開始切換到國內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)品，芯朋微推出ncp1342替代料PN8213氮化鎵pd充電器芯片，適用于65w氮化鎵充電器芯片方案。
 

　　

　　NCP1342替代料PN8213芯片特征　　

　　■ 內(nèi)置高壓啟動電路　　

　　■ 供電電壓9~57V,適合寬輸出電壓應(yīng)用　　

　　■ Valley Lock：技術(shù)提高效率改善系統(tǒng)噪聲　　

　　■ 最高工作頻率外部可設(shè)置　　

　　■ 空載待機(jī)功耗<55mW@230VAC　　

　　■ 優(yōu)異全面的保護(hù)功能。

　　

 

　　在電路保護(hù)方面，PN8213芯片具有逐周期過流保護(hù)、輸入欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、輸出開/短路保護(hù)、DMG電阻短路保護(hù)、次級整流管短路保護(hù)、過負(fù)載保護(hù)、雙重過溫保護(hù)等，提供全面的保護(hù)，以防止電路在不正常情況下受到損壞，此外，還具有頻率調(diào)制和智能驅(qū)動功能可使噪聲最小化，從而改善EMI的性能。

　　

　　ncp1342替代芯片PN8213在驅(qū)動、芯片供電、電路等都做了進(jìn)一步的優(yōu)化，將驅(qū)動集成于芯片內(nèi)，能夠直接供電給氮化鎵芯片，工作電壓在9V-57V，開關(guān)頻率最高可達(dá)230KHz，能充分體現(xiàn)氮化鎵的優(yōu)勢提高轉(zhuǎn)換效率，對驅(qū)動電壓進(jìn)行過優(yōu)化，可直接驅(qū)動E-GaN，外圍電路更為簡單，憑借其高度集成的芯片和簡潔的電路，以及完整的解決方案，得到了眾多快充廠商的認(rèn)可。