從2013年以來持續(xù)成長的DRAM市場，2016年展望值首度出現(xiàn)衰退。為突破半導體市場的不景氣，三星電子(Samsung ElectroNIcs)致力升級微細制程技術;SK海力士(SK Hynix)則準備以史上最大規(guī)模的投資計劃應戰(zhàn)。

 

     韓國半導體業(yè)界自年初就彌漫緊張感，DRAM價格持續(xù)下跌，搭載DRAM的PC、智能型手機、平板電腦等市場需求也在萎縮。從2013~2015年一直維持成長的存儲器市場，2016年展望值首度出現(xiàn)衰退。三星、SK海力士借著技術研發(fā)與大膽投資，試圖突破市場困境。

 

     據(jù)韓國經(jīng)濟報導，三星致力升級微細制程技術，日前宣布應用14納米第二代鰭式場效晶體管(FinFET)制程的移動系統(tǒng)單芯片(SoC)開始量產(chǎn)。14納米第二代FinFET制程比第一代耗電量節(jié)省15%，性能提升15%。

 

     三 星在2015年1月率先業(yè)界，量產(chǎn)應用14納米FinFET制程的Exynos 7 Octa;2016年以第二代FinFET制程同時量產(chǎn)Exynos 8 Octa與高通(Qualcomm)Snapdragon 820等代工產(chǎn)品。第二代制程產(chǎn)品預定將搭載于2016年3月上市的Galaxy S7(暫稱)。

 

     無論在資料處理速度或性能上，三星制程水準都在業(yè)界名列前茅，而借著這次量產(chǎn)的機會，三星代工事業(yè)收益性可望更上一層樓。

 

     另一方面，SK海力士2016年則將執(zhí)行史上最大規(guī)模，上看6.5兆韓元(約53.5億美元)的投資計劃。由于2015年投資規(guī)模為6.4兆韓元，因此根據(jù)估計2016年投資至少增加1，000億韓元，約6.5兆韓元。

 

     SK海力士相關人士表示，經(jīng)營條件雖然困難，為了奠定未來的成長基礎，仍然必須搶先投資。

 

     SK海力士2013年起就持續(xù)擴大設備投資，以拓展競爭力。2013年投資3.6兆韓元、2014年5.2兆韓元，2015年京畿道利川M14廠竣工，完成量產(chǎn)系統(tǒng)的整頓。SK海力士2014年的營業(yè)利益首度突破5兆韓元的紀錄，也被業(yè)界歸功于大膽投資帶來的效果。

 

     2016 年SK海力士的投資重點將放在開發(fā)技術、強化成本競爭力與建構相關基礎設施等方面。除了致力于10納米級DRAM、3D NAND Flash的開發(fā)與量產(chǎn)，同時也會持續(xù)在韓國利川與清州地區(qū)進行興建新廠的投資。已知SK海力士曾在2015年8月宣布，后續(xù)將投入46兆韓元建設M14 等3間新廠。

 

     韓國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會常務安基賢(譯名)表示，連大陸都跨足存儲器半導體市場，讓韓國業(yè)界充滿危機感，現(xiàn)在強化技術并透過投資維持競爭力，比任何時候都更為重要。